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シリコンウェーハ用ランプアニールシステム RLA-3100
イオン注入後の活性化アニールなどに使用されるランプアニールの量産装置です。
Point
製品のポイント
- ～Φ200㎜ウェーハに対応、最大200℃/秒の高速昇温が可能。
- ハロゲンランプの最適配置で面内温度均一性を向上。
- 真空パージ及び減圧中処理が可能（オプション）。
- 冷却機構強化により、降温時間を従来装置比33%削減。
- 自動搬送に対応し、最大50枚の連続処理が可能。
製品の特長
イオン注入後の活性化アニールなどに使用されるランプアニールシステムです。自動搬送に対応し、ハロゲンランプを使用しているため高速昇温が可能。
製品仕様
| 装置型式 | RLA-3100 |
| 本体寸法（mm） | 900(W)×1800(D)×2250(H) |
| ウェーハサイズ（mm） | Φ100～200 |
| 対応プロセス | 活性化アニール、各種アニール 他 |
| 常用温度 | 400～1200℃ |
| 処理枚数 | 枚葉 |
| ウェーハ搬送 | 対応 |
| キャリアストック数 | 2 |
| 昇温レート | 最大200℃/sec（Siウエハ処理時） |
| 使用ガス | N2、Ar、H2、O2 他 |
| オプション | プロセスチャンバ真空対応 |
| ホスト通信 |
