【概要】
　　SiCパワー半導体用コンタクトアニール装置において、チャンバ数の増加と搬送機構の
　　見直しにより生産性の向上を実現いたしました（当社従来装置比2～2.4倍）。

【課題】
　　コンタクトアニール装置は、ウェーハを1枚ずつ処理する枚葉式です。
　　カセットに複数のウェーハを収めて一度に処理するバッチ式と比べると
　　生産性が劣るため、お客様からは生産性の向上が求められていました。

【対策】
　　プロセスチャンバを1台から2台構成にするとともに、
　　搬送機構の見直しも行い、生産性を向上させました。

【効果】
　　・生産性が2～2.4倍に向上しました（当社従来装置比）。
　　・当社従来装置2台設置時と比較して、本体設置面積が24%削減しました。

【対象機種】
　　・装　　置：SiCパワー半導体用コンタクトアニールシステム
　　・対象機種：RLA-4200-V
　　　　　　　　（SMIFポッドにも対応可能です）

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