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半導体
デモ対応製品
SiCパワー半導体用コンタクトアニールシステム
メタル配線後のオーミックコンタクト用のランプアニールシステムでΦ200㎜ウェーハにも対応しています。
Point
製品のポイント
- 最大Φ200㎜ウェーハに対応。
- サセプタ載せ替え機構搭載、SiC・GaN用にCtoC搬送を実現。
- 搬送室はN₂ or 真空ロードロックに対応し、酸化を抑制。
- 新たに２チャンバタイプをラインアップ（RLA-4200-V）。
- 搬送・冷却を見直し、従来比2～2.4倍の生産性（RLA-4200-V）。
製品の特長
メタル配線後のオーミックコンタクト用のランプアニールシステムでΦ200㎜ウェーハに対応。搬送部は従来のN₂ロードロックに加え、新構造の真空ロードロックも採用、酸化抑制による製品品質向上に貢献しています。
［関連情報］：SiCパワー半導体向け熱処理装置
製品仕様
| 装置型式 | RLA-4200-V（NEW） | RLA-4100-V | RLA-3100-V | |
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本体寸法（mm） ※ガスボックス・コンソール含まず |
3300(W)×4850(D)× 2430(H) |
1800(W)×2800(D)× 2275(H) |
900(W)×1800(D)× 2580(H) |
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| ウェーハサイズ（mm） | ～Φ200 | |||
| 常用温度 | 400～1200℃ | |||
| 処理枚数 | 枚葉 | |||
| キャリアストック数 | 2 | 1 | ||
| プロセスチャンバ数 | 2 | 1 | ||
| 昇温レート |
最大200℃/sec（Siウエハ処理時） 最大50℃/sec（SiCウエハ処理時） |
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| ウェーハ搬送 | 真空ロードロック | N2ロードロック | ||
| 使用ガス | N2、Ar、H2、O2 他 | |||
| オプション | AMHS | OHT、AGV | - | OHT、AGV |
| SMIF対応 | 〇 | - | 〇 | |
| ホスト通信 | 〇 | |||
