半導体製造装置
自動車/産業機械
半導体
デモ対応製品
SiCパワー半導体用コンタクトアニールシステム
メタル配線後のオーミックコンタクトアニールシステムでΦ200㎜ウェーハにも対応しています。
Point
製品のポイント
- 最大Φ200㎜ウェーハに対応。
- サセプタ載せ替え機構搭載、SiC・GaN用にCtoC搬送を実現。
- ハロゲンランプの最適配置で面内温度均一性を向上。
- 搬送室はN₂ or 真空ロードロックに対応し、酸化を抑制。
- 冷却機構強化により、降温時間を従来装置比33%削減。
- GaNプロセスなどでも使用可能。
製品の特長
メタル配線後のオーミックコンタクトアニールシステムでΦ200㎜ウェーハに対応。搬送部は従来のN₂ロードロックに加え、新構造の真空ロードロックも採用、酸化抑制による製品品質向上に貢献しています。
[関連情報]:SiCパワー半導体向け熱処理装置
製品仕様
装置型式 | RLA-4100-V | RLA-3100-V | |
本体寸法(mm) | 2200(W)×3562(D)×2240(H) | 900(W)×1800(D)×2580(H) | |
ウェーハサイズ(mm) | ~Φ200 | ||
常用温度 | 400~1200℃ | ||
処理枚数 | 枚葉 | ||
キャリアストック数 | 1 | ||
昇温レート | 最大200℃/sec(Siウエハ処理時) | ||
ウェーハ搬送 | 真空ロードロック | N2ロードロック | |
サセプタ載せ替え機構 | 対応 | ||
使用ガス | N2、Ar、H2、O2 他 | ||
オプション | AMHS | OHT、AGV | |
SMIF対応 | 〇 | ||
ホスト通信 | 〇 |