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半導体

デモ対応製品

SiCパワー半導体用コンタクトアニールシステム

メタル配線後のオーミックコンタクトアニールシステムでΦ200㎜ウェーハにも対応しています。

Point

  • 最大Φ200㎜ウェーハに対応。
  • サセプタ載せ替え機構搭載、SiC・GaN用にCtoC搬送を実現。
  • ハロゲンランプの最適配置で面内温度均一性を向上。
  • 搬送室はN₂ or 真空ロードロックに対応し、酸化を抑制。
  • 冷却機構強化により、降温時間を従来装置比33%削減。
  • GaNプロセスなどでも使用可能。

製品の特長

メタル配線後のオーミックコンタクトアニールシステムでΦ200㎜ウェーハに対応。搬送部は従来のN₂ロードロックに加え、新構造の真空ロードロックも採用、酸化抑制による製品品質向上に貢献しています。

製品仕様

装置型式 RLA-4100-V RLA-3100-V
本体寸法(mm) 2200(W)×3562(D)×2240(H) 900(W)×1800(D)×2580(H)
ウェーハサイズ(mm) ~Φ200
常用温度 400~1200℃
処理枚数 枚葉
キャリアストック数 1
昇温レート 最大200℃/sec(Siウエハ処理時)
ウェーハ搬送 真空ロードロック N2ロードロック
サセプタ載せ替え機構 対応
使用ガス N2、Ar、H2、O2 他
オプション AMHS OHT、AGV
SMIF対応
ホスト通信