【概要】
　　SiCパワーデバイス用「活性化炉」と「酸窒化炉」において、8インチウェーハの
　　生産性を向上させ、1バッチあたり100枚の処理が可能となりました。

【課題】
　　世界的な自動車のEV化に伴い、SiCパワー半導体の生産が本格化しています。
　　ウェーハ径も従来の6インチから8インチへ移行し、生産性の向上が課題と
　　なっています。
　　しかし、活性化炉は1900℃、酸窒化炉は1400℃と非常に高温で熱処理するため、
　　8インチウェーハの最大処理枚数は1バッチあたり50枚（活性化炉）、75枚（酸窒化炉）
　　が限界でした。

【対策】
　　生産性向上のため、プロセスチャンバやヒータ、
　　装置構造の見直しを行いました。

【効果】
　　1バッチあたり最大100枚の処理が可能となり、
　　生産性が1.3～2倍向上しました
　　（当社従来装置比）。

【対象機種】
　　・装　　置：縦型システム
　　・対象機種：VF-5300HLP（活性化アニール）、VF-5300H（酸窒化アニール）　　

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