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SiCパワー半導体用酸窒化アニールシステム

ゲート絶縁膜形成用酸窒化アニール。Φ200㎜ウェーハで最大100枚に対応。SiCパワー半導体の量産に貢献します。

 

Point

  • Φ200㎜で最大100枚/バッチ対応縦型炉。
  • 炉内は当社独自のメタルフリー構造。
  • SMIF対応可能(VF-5300H)。
  • 最大20カセット収納可能(VF-5300H)。
  • In-Situチャンバクリーニング機構搭載(オプション)。

製品の特長

ゲート絶縁膜形成用酸窒化アニールシステム。ユーザーの要望にお応えし、いち早くΦ200㎜ウェーハで最大100枚の処理が可能な装置をラインアップ。炉内は当社独自のメタルフリー構造を採用、クリーニング頻度を大幅に削減しています。高速搬送ロボットを搭載し生産性を追及しSiCパワー半導体の量産に貢献しています。

[関連情報]:SiCパワー半導体向け熱処理装置
       SiC用縦型炉 8インチウェーハの100枚処理

製品仕様

装置型式 VF-5300H VF-5100H VF-3000H VF-1000H
本体寸法(mm) 900(W)×2300(D)×3650(H)※ 1000(W)×1950(D)×3650(H) 1500(W)×1710(D)×2810(H) 1100(W)×1190(D)×2830(H)
ウェーハサイズ(mm) ~Φ200
常用温度 700~1400℃
最大処理枚数 100 100 50 25
キャリアストック数 20 8(6) 3
使用ガス N2、Ar、O2、NO 他
ウェーハ搬送 自動(5枚一括+1枚搬送) 自動(1枚搬送) 手動
オプション N₂ロードロック
チャンバ―クリーニング機構
AMHS OHT、AGV
SMIF対応
ホスト通信 △一部対応

※SMIF対応時、レイアウトおよび炉体サイズが変わります

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