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SiCパワー半導体用酸窒化アニールシステム
ゲート絶縁膜形成用酸窒化アニール。Φ200㎜ウェーハで最大100枚に対応。SiCパワー半導体の量産に貢献します。
Point
製品のポイント
- Φ200㎜で最大100枚/バッチ対応縦型炉。
- 炉内は当社独自のメタルフリー構造。
- SMIF対応可能(VF-5300H)。
- 最大20カセット収納可能(VF-5300H)。
- In-Situチャンバクリーニング機構搭載(オプション)。
製品の特長
ゲート絶縁膜形成用酸窒化アニールシステム。ユーザーの要望にお応えし、いち早くΦ200㎜ウェーハで最大100枚の処理が可能な装置をラインアップ。炉内は当社独自のメタルフリー構造を採用、クリーニング頻度を大幅に削減しています。高速搬送ロボットを搭載し生産性を追及しSiCパワー半導体の量産に貢献しています。
製品仕様
装置型式 | VF-5300H | VF-5100H | VF-3000H | VF-1000H | |
本体寸法(mm) | 900(W)×2300(D)×3650(H)※ | 1000(W)×1950(D)×3650(H) | 1500(W)×1710(D)×2810(H) | 1100(W)×1190(D)×2830(H) | |
ウェーハサイズ(mm) | ~Φ200 | ||||
常用温度 | 700~1400℃ | ||||
最大処理枚数 | 100 | 100 | 50 | 25 | |
キャリアストック数 | 20 | 8(6) | 3 | ー | |
使用ガス | N2、Ar、O2、NO 他 | ||||
ウェーハ搬送 | 自動(5枚一括+1枚搬送) | 自動(1枚搬送) | 手動 | ||
オプション | N₂ロードロック | 〇 | |||
チャンバ―クリーニング機構 | 〇 | ||||
AMHS | OHT、AGV | ー | |||
SMIF対応 | 〇 | ー | |||
ホスト通信 | 〇 | △一部対応 | ー |
※SMIF対応時、レイアウトおよび炉体サイズが変わります