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SiCパワー半導体用活性化アニールシステム

イオン注入後の活性化アニール。Φ200㎜ウェーハで最大100枚に対応。SiCパワー半導体の量産に貢献します。

Point

  • Φ200㎜で最大100枚/バッチ対応縦型炉。
  • N₂ロードロック標準装備、高温で製品出し入れ可能で高生産性確保。
  • SMIF対応可能(VF-5300HLP)。
  • 最大20カセット収納可能(VF-5300HLP)。
  • H2雰囲気でのトレンチラウンド化アニールに対応 (オプション)。
  • GaNプロセスなどでも使用可能。

製品の特長

イオン注入後の活性化アニールシステム。ユーザーの要望にお応えし、いち早くΦ200㎜ウェーハで最大100枚の処理が可能な装置をラインアップ。N2ロードロック機構や高速搬送ロボットを搭載。生産性を追及しSiCパワー半導体の量産に貢献しています。

[関連情報]:SiCパワー半導体向け熱処理装置
       SiC用縦型炉 8インチウェーハの100枚処理

製品仕様

装置型式

VF-5300HLP VF-3000HLP VF-1000HLP
本体寸法(mm) 900(W)×2535(D)×3750(H)※ 1500(W)×1710(D)×2810(H) 1100(W)×1190(D)×3110(H)
ウェーハサイズ(mm) ~Φ200
常用温度 700~1900℃
最大処理枚数 100 50
キャリアストック数 20 3
圧力 真空可能
使用ガス N2、Ar、H2(オプション)
ウェーハ搬送 自動(5枚一括+1枚搬送) 自動(1枚搬送) 手動
N2ロードロック 標準搭載
オプション AMHS OHT、AGV
SMIF対応
ホスト通信 △一部対応

※SMIF対応時、レイアウトおよび炉体サイズが変わります

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