先端半導体パッケージとは

先端半導体パッケージとは、異なる機能を持つ複数の半導体チップを一つのパッケージ内に収めたもので、複数のチップ（チップレット）を高密度に実装した半導体製品を指します。これらは2.5D-ICや3D-ICと呼ばれます。各チップが別々のパッケージに搭載されるよりも、チップ間の距離が短くなるため、情報伝達速度が向上します。また、複数の機能を持たせた一つの大きなチップを作るよりも、異なる機能を持つチップを組み合わせる方がコスト削減、歩留まり改善、生産性の向上につながります。
従来、半導体の製造工程においては、ファウンドリーが前工程、OSATが後工程を担当するというように分業されていました。しかし、先端半導体パッケージの製造においては、前工程と後工程それぞれの技術が活用できるため、いずれの分野からも参入が進んでいます。
高性能を持つ先端半導体パッケージ技術は、AIや高性能コンピューティング、5G通信、スマートフォン、IoTデバイス、自動運転など、様々な分野や製品で利用されています。

• 

  AI

• 

  5G通信

• 

  先端半導体
  パッケージ

• 

  携帯電話

• 

  自動運動

先端半導体パッケージ対応熱処理プロセス

プリント基板（PCB）の乾燥や、Siインターポーザ・RDL（再配線層）・ガラスインターポーザなどの各種熱処理の他、はんだバンプ形成後のリフロー、 チップモールド後の焼成などに対応しています。また、FO-WLP（Fan Out-Wafer Level Package）・WL-CSP（Wafer Level-Chip Size Package）用熱処理装置にも豊富な納入実績がございます。
当社では、これまでに半導体製造装置や液晶基板用装置の製造で培った経験・技術を生かし、先端半導体パッケージの各種製造工程に対応した装置を供給しています。

製品ラインアップ

• 

  クリーンオーブン
  SO2-60-L

• 

  縦型炉
  VF-5700B-F2

• 

  縦型炉
  VF-5900B

• 

  大口径縦型システム
  VFS-4000

• 

  クリーンオーブン
  CLH-21CD

装置型式	量産用					研究開発用
	クリーンオーブン			縦型炉	大口径縦型システム	クリーンオーブン
	SO2-12-F SO2-12L-F	SO2-30L-F	SO2-60-F	VF-5700B-F2VF-5900B	VFS-4000	CLH-21CD (H) CLH-35CD (H)
FO-WLP	○	ー	ー	○	ー	○
FO-PLP	ー	○	○	ー	○	○
Siインターポーザ	○	○	ー	○	ー	○
ガラスインターポーザ	○ 丸ウェーハ形状のみ対応	○ 角形基板対応	○ 角形基板対応	○ 丸ウェーハ形状のみ対応	○ 角形基板対応	○ 角形基板対応
有機インターポーザ	○ 丸ウェーハ形状のみ対応	○ 角形基板対応	○ 角形基板対応	○ 丸ウェーハ形状のみ対応	○ 角形基板対応	○ 角形基板対応
対応基板サイズ (mm)	300	310x310 (300x300)	510x515 600x600	300	310x310 (300x300) 510x515 600x600	300 310x310 (300x300)
チャンバ数	2	2	2	1	1	1
最大処理枚数*¹/チャンバ	50枚*²、52枚*³	26枚	24枚	75枚*⁴、100枚*⁵	12枚	ー
加熱方式	熱風循環式			抵抗加熱式		熱風循環式
基板搬送	ロボット搬送					手動
I/Oポート数 (FOUP)	4	4	4	2	2	ー
使用温度範囲	70～450℃*² 70～400℃*³	70～400℃	70～350℃ 70～400℃*6	～750℃	～600℃	RT+70～530℃
残留酸素濃度	10ppm以下					20ppm以下
セルフクリーニング	ー	ー	ー	高温バーンアウト		ー

• *¹　基板厚みや反りにより、処理枚数は増減することがあります。
• *²　SO2-12-Fの場合
• *³　SO2-12L-Fの場合
• *⁴　VF-5700B-F2の場合
• *⁵　VF-5900Bの場合
• *⁶　オプション対応