半導体製造装置
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半導体
300㎜ウェーハ対応クリーンオーブンシステムSO2-12-F
Φ300㎜で全自動対応し、後工程におけるPIQ処理で豊富な実績がある量産用クリーンオーブンです。
Point
製品のポイント
- Φ300㎜ウェーハに対応。
- N₂を導入することで酸素濃度を20ppm以下に制御可能。
- 槽内クリーン度クラス100対応(温度安定時)。
- Fan-outなど変形ウェーハの搬送にも対応。
- FOUPオープナー+2チャンバのシステム構成。
製品の特長
Φ300㎜で全自動対応し、OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test)にも多数の実績がある量産用クリーンオーブンです。酸素濃度を20ppm以下に制御可能で、ポリイミドやFan-out WLPなどのキュア用途に採用されています。
[関連技術情報]: Fan-Outウェーハの搬送安定性の向上
製品仕様
装置型式 | SO2-12-F | SO2-12L-F |
本体寸法(mm) | 3000(W)×3105(D)×2200(H) | 3000(W)×4072(D)×2485(H) |
ウェーハサイズ(mm) | Φ300 | |
Fan-out 対応 | 〇 | 〇 |
対応プロセス |
ポリイミドキュア |
Fan-out WLPキュア 他 |
Fan-out WLPキュア 他 |
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最大処理枚数 |
Siウェーハ : 50×2チャンバ |
Fan-outウェーハ : 52×2チャンバ※ |
Fan-outウェーハ : 26×2チャンバ※ |
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処理温度 | 70~450℃ | 70~400℃ |
残留酸素濃度 | 20ppm以下(N2ガス250L/min導入後45分以内) | |
槽内清浄度 | クラス100(温度安定時/ISO:クラス5) | |
チャンバ数 | 2 | |
I/Oポート(FOUP) | 4 | |
ウェーハ搬送 | シングルアーム/シングルフィンガ | シングルアーム/ダブルフィンガ |
オプション | AMHS対応(AGV or OHT) | |
ホスト通信 | ||
Φ200㎜兼用 |
※ウェーハの反り量により、最大処理枚数は変動します。