半導体製造装置

自動車/産業機械

半導体

300㎜ウェーハ対応クリーンオーブンシステムSO2-12-F

Φ300㎜で全自動対応し、後工程におけるPIQ処理で豊富な実績がある量産用クリーンオーブンです。

Point

  • Φ300㎜ウェーハに対応。
  • N₂を導入することで酸素濃度を20ppm以下に制御可能。
  • 槽内クリーン度クラス100対応(温度安定時)。
  • Fan-outなど変形ウェーハの搬送にも対応。
  • FOUPオープナー+2チャンバのシステム構成。

製品の特長

Φ300㎜で全自動対応し、OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test)にも多数の実績がある量産用クリーンオーブンです。酸素濃度を20ppm以下に制御可能で、ポリイミドやFan-out WLPなどのキュア用途に採用されています。

[関連技術情報]: Fan-Outウェーハの搬送安定性の向上

製品仕様

装置型式 SO2-12-F SO2-12L-F
本体寸法(mm) 3000(W)×3105(D)×2200(H) 3000(W)×4072(D)×2485(H)
ウェーハサイズ(mm) Φ300
Fan-out 対応
対応プロセス

ポリイミドキュア

Fan-out WLPキュア 他

Fan-out WLPキュア 他

最大処理枚数

Siウェーハ : 50×2チャンバ

Fan-outウェーハ : 52×2チャンバ※

Fan-outウェーハ : 26×2チャンバ※

処理温度 70~450℃ 70~400℃
残留酸素濃度 20ppm以下(N2ガス250L/min導入後45分以内)
槽内清浄度 クラス100(温度安定時/ISO:クラス5)
チャンバ数 2
I/Oポート(FOUP) 4
ウェーハ搬送 シングルアーム/シングルフィンガ シングルアーム/ダブルフィンガ
オプション AMHS対応(AGV or OHT)
ホスト通信
Φ200㎜兼用

※ウェーハの反り量により、最大処理枚数は変動します。