半導体製造装置

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半導体

先端半導体パッケージ対応クリーンオーブンシステム

FO-WLP、WL-CSPのPIQ処理で豊富な実績のあるΦ300㎜ウェーハの他、Chipletや2.xD/3D先端パッケージ用の各種角型基板(~600x600mm)にも対応する基板自動搬送付きの量産用クリーンオーブンです。

Point

  • Chiplet・2.xD/3Dなど半導体先端パッケージの熱処理に対応。
  • Φ300㎜をはじめ、~600×600㎜ の角形基板に対応。
  • N₂を導入することで酸素濃度を10ppm以下に制御可能。
  • 槽内クリーン度クラス100対応(温度安定時)。
  • 変形のあるFan-Outウェーハや各種大型ガラス基板等にも対応。
  • FOUPオープナー+2チャンバのシステム構成。

製品の特長

Chiplet・2.xD/3Dなど半導体先端パッケージの熱処理向けに、Φ300㎜をはじめ、~600×600㎜ の各種基板に対応。Siインターポーザ・有機・ガラスインターポーザなどのRDL(再配線層)を含む各種熱処理の他、PCB基板の乾燥、はんだバンプ後のリフロー、チップモールド後の焼成などにも使用が可能です。
Φ300㎜ FO-WLP*・WL-CSP*用装置は、OSAT*向け量産用クリーンオーブンで豊富な納入実績があります。

*FO-WLP(Fan Out-Wefer Level package)
*WL-CSP(Wefer Level-Chip Size package)
*OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test)

[関連技術情報]: Fan-Outウェーハの搬送安定性の向上

製品仕様

装置型式 SO2-12-F / SO2-30-F SO2-12L-F / SO2-30L-F SO2-60-F
対応基板サイズ(mm)

Φ300

300×300

510×515

600×600

対応

プロセス

FO-WLP
FO-PLP

Siインターポーザ

ガラスインターポーザ

角型基板対応

角型基板対応

角型基板対応

有機インターポーザ

角型基板対応

角型基板対応

角型基板対応

最大処理枚数/チャンバ

50枚(注)

52枚(注) 24枚(注)
加熱方式 熱風循環式
チャンバ数
基板搬送 ロボット搬送
I/Oポート数(FOUP)
使用温度範囲 70~450℃ 70~400℃

70~300℃

残留酸素濃度 10ppm以下
槽内清浄度 クラス100(温度安定時/ISO:クラス5)
オプション AMHS対応
ホスト通信
Φ200㎜兼用

(注)基板厚みや反りにより、処理枚数は増減することがあります。

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