イオン注入後の活性化アニール。Φ200㎜ウェーハで最大100枚に
対応。SiCパワー半導体の量産に貢献します。

ゲート絶縁膜形成用酸窒化アニール。Φ200㎜ウェーハで最大100枚に対応。SiCパワー半導体の量産に貢献します。

酸化・拡散・LP-CVD他各種プロセスに対応したΦ150～200㎜量産装置。20個のカセットを収納、連続バッチ処理が可能です。

酸化・拡散・LP-CVD他各種プロセスに対応した～Φ200㎜量産装置。コストパフォーマンスに優れたベストセラー装置です。

酸化・拡散・LP-CVD他各種プロセスに対応したΦ75～200㎜準量産装置。50～75枚のミニバッチ処理に最適。

酸化・拡散・LP-CVD他各種プロセスに対応したΦ50～300㎜研究開発用装置。

メタル配線後のオーミックコンタクト用のランプアニールシステムでΦ200㎜ウェーハにも対応しています。