イオン注入後の活性化アニール。Φ200㎜ウェーハで最大100枚に対応。SiCパワー半導体の量産に貢献します。

ゲート絶縁膜形成用酸窒化アニール。Φ200㎜ウェーハで最大100枚に対応。SiCパワー半導体の量産に貢献します。

酸化・拡散・LP-CVD他各種プロセスに対応したΦ150～200㎜量産装置。20個のカセットを収納出来、連続バッチ処理が可能です。

酸化・拡散・LP-CVD他各種プロセスに対応した～Φ200㎜量産装置。コストパフォーマンスに優れたベストセラー装置です。

酸化・拡散・LP-CVD他各種プロセスに対応したΦ50～300㎜研究開発用装置。

メタル配線後のオーミックコンタクトアニールシステムでΦ200㎜ウェーハにも対応しています。

イオン注入後の活性化アニールなどに使用されるランプアニールの実験装置です。

卓上式のコンパクトなR＆D用ランプアニール装置で、太陽電池の電極焼成やイオン注入後の活性化アニールなどに最適です。